產(chǎn)品介紹
光伏電站中的電位誘發(fā)衰減(PID)效應(yīng)可能會(huì)導(dǎo)致組件功率的嚴(yán)重衰減。F•RST® F406P&F806PEVA旨在從封裝材料角度改善組件PID問題。F406P&F806PEVA膠膜優(yōu)異的抗PID性能可幫助組件通過85℃,RH85%,-1000Vdc,96h的PID測(cè)試。同時(shí),F(xiàn)406P&F806PEVA膠膜兼具優(yōu)異的長(zhǎng)期耐候性能和高透光率。
抗PID特性(85℃ 85%RH,-1000Vdc)
玻璃+F406PEVA+晶硅電池片+F806PEVA+BEC301背板
初始(251.2W) PID96h(250.6W)

性能參數(shù)
性能 |
測(cè)試方法 |
單位 |
F406P |
F806P |
常規(guī)克重 |
FST方法 |
g/m2 |
430±20 |
390±20 |
表觀厚度 |
FST方法 |
mm |
0.55±0.05 |
0.50±0.05 |
常規(guī)長(zhǎng)度 |
FST方法 |
m/roll |
150 |
150 |
寬幅 |
FST方法 |
mm |
客戶定制0/+7 |
客戶定制0/+7 |
密度 |
ASTMD792 |
g/cm3 |
0.95-0.96 |
0.95-0.96 |
熔融范圍 |
FST方法 |
℃ |
40-80 |
40-80 |
收縮率(120℃,3min) |
GB/T29848 |
MD% |
<3.0 |
<3.0 |
TD% |
<1.5 |
<1.5 |
紫外截止波長(zhǎng) |
FST方法 |
nm |
-- |
360 |
光透過率 |
1100nm-380nm |
GB/T29848 |
% |
>91 |
>91 |
380nm-290nm |
% |
>80 |
<30 |
交聯(lián)程度 |
GB/T29848 |
Gel% |
>75 |
>75 |
體積電阻率 |
GB/T29848 |
Ω·cm |
>1.0×1015 |
>1.0×1015 |
與玻璃粘結(jié)強(qiáng)度 |
GB/T29848 |
N/cm |
>60 |
>60 |
對(duì)TPT背板粘結(jié)強(qiáng)度 |
GB/T29848 |
N/cm |
>40 |
>40 |
注:產(chǎn)品克重、厚度、長(zhǎng)度、寬幅均可客戶定制。