KDB-3雙組合測試儀是根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF1529設(shè)計(jì)，雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。在本測試方法中，在測試樣品的每個測量位置上，以兩種不同的方式（配置）將探針連接到提供電流和測量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測量。單組合四探針相比，用較小間距的探針頭就可以進(jìn)行高精度的測量，從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。
儀器特點(diǎn)如下：
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更精確。
數(shù)字電壓表量程：0—199.99mV 靈敏度：10μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度)
2、可測電阻率范圍：10—4 —1.9×104Ω·cm。
可測方塊電阻范圍：10—3 —1.9×105Ω/□。
3、設(shè)有電壓表自動復(fù)零功能，當(dāng)四探針頭1、4探針間未有測量電流流過時，電壓表指零，只有1、4探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時，電壓表才指示2、3探針間的電壓（即電阻率）值；同樣，當(dāng)四探針頭1、3探針間未有測量電流流過時，電壓表指零，只有1、3探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時，電壓表才指示2、4探針間的電壓（即電阻率）值，避免空間雜散電波對測量的干擾。
4、流經(jīng)硅片的測量電流由高度穩(wěn)定（萬分之五精度）的特制恒流源提供，不受氣候條件的影響，整機(jī)測量精度＜3%。
電流量程分五檔：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、儀器采用觸點(diǎn)電阻更低（＜5mΩ）、使用壽命更長的轉(zhuǎn)換開頭及繼電器（＞10萬次），在絕緣電阻、電流容量方面留有更大的安全系數(shù)，提高了測試儀的可靠性和使用壽命。
6、可選配專用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)采集,可進(jìn)行雙組合或單組合測量，實(shí)現(xiàn)自動切換電壓檔位、讀取相應(yīng)電壓值，根據(jù)不同方法計(jì)算電阻率或方塊電阻值；軟件可對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，如平均值，***大值、***小值、***大百分變化率、平均百分變化率、徑向不均勻度等內(nèi)容。
7、可配KDDJ-3電動測試架，自動上下運(yùn)行，使測量更方便快捷。
8、四探針頭采用國際上先進(jìn)的紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性提高（國家知識產(chǎn)權(quán)局已于2005.02.02授予專利權(quán)，專利號：ZL03274755.1）。
專用測量軟件界面如下圖所示：
供應(yīng)商參考報(bào)價：面議
太陽能光伏：
{try{}catch(e){}var f='http://service.weibo.com/share/share.php?',u=d.location.href,p=['url=',e(u),'&title=',e(encodeURIComponent('#新能源產(chǎn)品推薦#【雙組合四探針方阻/電阻率測試儀(KDB-3) — 廣州市昆德科技有限公司】該儀器為雙電測半導(dǎo)體晶片電阻率或方塊電阻，該測試方法能消除探針間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，具有自動修正邊界效應(yīng)之功能。..')),'&appkey=1803333894','&pic=http://file.china-nengyuan.com/999/product/small/201608/p122900001472528222.jpg'].join('');function a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=620,height=450,left=',(s.width-620)/2,',top=',(s.height-450)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent)){setTimeout(a,0)}else{a()}})(screen,document,encodeURIComponent));){kind=link}